| 短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型 |
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| 引用本文： | 赵青云,于宝旗,朱兆旻,顾晓峰.短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型[J].固体电子学研究与进展,2014(6). |
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| 作者姓名： | 赵青云 于宝旗 朱兆旻 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系; |
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| 基金项目： | 专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053) |
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| 摘 要： | 通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。最后,利用Atlas软件对器件进行了模拟研究。结果表明,根据解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了模型的准确性。这些模型可为设计和应用新型的短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管提供理论基础。
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| 关 键 词： | 二维泊松方程 无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅 |
Analytical Models for Short Channel Junctionless Cylindrical Surrounding-gate MOSFET |
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