基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO |
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引用本文: | 邝小飞,孙丹,李龙弟.基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO[J].固体电子学研究与进展,2014(4). |
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作者姓名: | 邝小飞 孙丹 李龙弟 |
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作者单位: | 杭州电子科技大学微电子CAD研究所; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61274029) |
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摘 要: | 基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流(IL)在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。
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关 键 词: | 低压差线性稳压器 无片外电容 摆率增强 高压摆率误差放大器 |
A Cap-free Low-dropout Regulator with Slew-rate Enhancement Circuit Based on High Slew-rate Error Amplifier |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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