| 一种高精度二阶温度补偿带隙基准电路设计 |
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| 引用本文： | 陈文韬,邓婉玲,黄君凯.一种高精度二阶温度补偿带隙基准电路设计[J].固体电子学研究与进展,2014(5). |
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| 作者姓名： | 陈文韬 邓婉玲 黄君凯 |
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| 作者单位： | 暨南大学信息科学技术学院电子工程系; |
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| 基金项目： | 广东省科技计划资助项目(2011B040300035) |
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| 摘 要： | 基于通过负温度系数电压控制工作于亚阈值区MOS管栅压产生随温度变化的补偿电流原理,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺,设计了一款高精度二阶温度补偿带隙基准电压源。测试结果表明,当电源电压大于1.6V时,电路能够产生稳定的1.21V输出电压;在电源电压为1.6~3.4V,-20~135℃温度范围内,最小温度系数为2×10-6/℃,最大温度系数为3.2×10-6/℃;当电源电压在1.6~3.4V之间变化时,输出电压偏差为0.6mV,电源调整率为0.34mV/V;在1.8V电源电压下,电源抑制比为69dB,因此能够适应于高精度基准源。
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| 关 键 词： | 高精度 二阶温度补偿 亚阈值区 带隙基准电路 电源抑制比 |
Design of a High Precision Bandgap Reference Circuit with the Second-order Temperature Compensation |
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