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| 半导体材料的激光化学气相淀积 | |
| 引用本文： | 章伟,王晓茹,贾枬.半导体材料的激光化学气相淀积[J].半导体光电,1988(4). |
| 作者姓名： | 章伟 王晓茹 贾枬 |
| 作者单位： | 合肥工业大学应用物理系，安徽电子科学研究所，合肥工业大学应用物理系 84级学生 |
| 摘 要： | 半导体材料的激光化学气相淀积即光CVD(Pheto-Chemical Vaporous Deposition)是近几年发展起来的低温淀积技术。它具有淀积温度低、薄膜均匀、光电性能优良、选择性好和易于控制等特点。本文着重于介绍光CVD的原理、特点、工艺、设备及在氢化非晶硅、二氧化硅、氮化硅及其它半导体材料中的应用。 |
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