| 亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造 |
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| 引用本文： | 杨玉芬,陈宗圭,张矩.亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造[J].半导体学报,1989,10(3):192-197. |
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| 作者姓名： | 杨玉芬 陈宗圭 张矩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京
(杨玉芬，陈宗圭)，北京工业学院物理系 北京(张矩) |
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| 摘 要： | 本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10~(15)cm~(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.
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| 关 键 词： | MOSFET 掺杂 亚微米栅长 调制 |
Fabrication of Submicron Gate Length Modulation Doped Al_xGa_(1-x)As/GaAs Field Effect Transistors |
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| Yang Yufen/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingChen Zhonggui/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingZhang Ju/Beijing Institute of Technology.Fabrication of Submicron Gate Length Modulation Doped Al_xGa_(1-x)As/GaAs Field Effect Transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(3):192-197. |
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| Authors: | Yang Yufen/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingChen Zhonggui/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingZhang Ju/Beijing Institute of Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Modulation doped Two-dimensional electron gas Submicron gate length Field effect transistors |
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