| UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善 |
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| 引用本文： | 李秀然,刘宇,王鹏,李秀莹,沈思杰.UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善[J].半导体技术,2018,43(8):627-632. |
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| 作者姓名： | 李秀然 刘宇 王鹏 李秀莹 沈思杰 |
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| 作者单位： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203;上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203;上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203;上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203;上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海,201203 |
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| 摘 要： | 针对U型沟槽MOSFET (UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验.采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征.结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(Trans_LC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷.通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98％ ～ 99％,无漏电失效现象.
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| 关 键 词： | U型沟槽MOSFET (UMOSFET) 漏电失效 湿氧工艺 场氧化层 反式二氯乙烯(Trans_LC) |
Leakage Failure Analysis and Process Improvement for UMOSFET Power Devices |
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| Li Xiuran,Liu Yu,Wang Peng,Li Xiuying,Shen Sijie.Leakage Failure Analysis and Process Improvement for UMOSFET Power Devices[J].Semiconductor Technology,2018,43(8):627-632. |
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| Authors: | Li Xiuran Liu Yu Wang Peng Li Xiuying Shen Sijie |
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