| 沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化 |
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| 引用本文： | 汤光洪,高周妙,罗燕飞,李志栓,周燕春. 沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化[J]. 半导体技术, 2018, 43(7): 534-539. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.009 |
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| 作者姓名： | 汤光洪 高周妙 罗燕飞 李志栓 周燕春 |
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| 作者单位： | 杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310083;杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310083;杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310083;杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310083;杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310083 |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相淀积(LPCVD)非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺.分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022 μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件.结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150 Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4％.
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比 |
Research and Optimization of Amorphous Si Filling Process for the Trench IGBT |
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| Tang Guanghong,Gao Zhoumiao,Luo Yanfei,Li Zhishuan,Zhou Yanchun. Research and Optimization of Amorphous Si Filling Process for the Trench IGBT[J]. Semiconductor Technology, 2018, 43(7): 534-539. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.009 |
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| Authors: | Tang Guanghong Gao Zhoumiao Luo Yanfei Li Zhishuan Zhou Yanchun |
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