| GaAs基霍尔传感器的研究进展 |
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| 引用本文： | 董健方,彭挺,高能武,金立川,钟智勇.GaAs基霍尔传感器的研究进展[J].半导体技术,2018,43(8):561-571,590. |
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| 作者姓名： | 董健方 彭挺 高能武 金立川 钟智勇 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;成都海威华芯科技有限公司,成都,610299 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(61734002)，四川省应用基础研究重大前沿项目(2017JY0002) |
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| 摘 要： | 霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统.与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性.概述了GaAs材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的GaAs基霍尔传感器和异质结构的GaAs基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对GaAs基霍尔传感器的发展趋势进行了展望.
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| 关 键 词： | 霍尔传感器 砷化镓(GaAs) 异质结 磁场传感器 电压偏移消除技术 |
Research Progress of GaAs-Based Hall Sensor |
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| Dong Jianfang,Peng Ting,Gao Nengwu,Jin Lichuan,Zhong Zhiyong.Research Progress of GaAs-Based Hall Sensor[J].Semiconductor Technology,2018,43(8):561-571,590. |
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| Authors: | Dong Jianfang Peng Ting Gao Nengwu Jin Lichuan Zhong Zhiyong |
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