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L波段四通道发射电路芯片的设计与实现
引用本文:王鑫华,陈明辉,杨格亮.L波段四通道发射电路芯片的设计与实现[J].半导体技术,2018,43(7):504-509.
作者姓名:王鑫华  陈明辉  杨格亮
作者单位:中国电子科技集团公司第五十四研究所,石家庄,050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,石家庄,050081;中国电子科技集团公司第五十四研究所,石家庄,050081
基金项目:河北省自然科学基金和重点基础研究专项资助项目(18960202D)
摘    要:基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2~1.4 GHz的射频信号.电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号.针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器(VGA)并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输出功率.电路采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为3.6 mm×3.4 mm.测试结果表明,四通道直接上变频发射芯片的发射功率可达15.4 dBm,动态增益不小于36.3 dB,通道隔离度不小于43.3 dB.芯片的功耗为837.6 mW.

关 键 词:发射芯片  直接上变频  有源RC滤波器  双平衡混频器  四通道  CMOS工艺

Design and Implement of the L-Band Four-Channel Transmitter Circuit Chip
Wang Xinhua,Chen Minghui,Yang Geliang.Design and Implement of the L-Band Four-Channel Transmitter Circuit Chip[J].Semiconductor Technology,2018,43(7):504-509.
Authors:Wang Xinhua  Chen Minghui  Yang Geliang
Abstract:
Keywords:
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