| 全耗尽CMOS/SOI工艺 |
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| 引用本文： | 刘新宇,孙海峰,刘洪民,陈焕章,扈焕章,海潮和,和致经,吴德馨.全耗尽CMOS/SOI工艺[J].半导体学报,2003,24(1):104-108. |
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| 作者姓名： | 刘新宇 孙海峰 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心 北京100029
(刘新宇，孙海峰，刘洪民，陈焕章，扈焕章，海潮和)，中国科学院半导体研究所 北京100083
(和致经)，中国科学院微电子中心 北京100029(吴德馨) |
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| 摘 要： | 对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 ps
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| 关 键 词： | 全耗尽CMOS/SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)01-0104-05 |
| 修稿时间： | 2002年4月23日 |
Fully Depleted CMOS/SOI Technology |
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| Liu Xinyu ,Sun Haifeng ,Liu Hongmin ,Chen Huanzhang ,Hu Huanzhang ,Hai Chaohe ,He Zhijing and Wu Dexin.Fully Depleted CMOS/SOI Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(1):104-108. |
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| Authors: | Liu Xinyu Sun Haifeng Liu Hongmin Chen Huanzhang Hu Huanzhang Hai Chaohe He Zhijing and Wu Dexin |
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| Affiliation: | Liu Xinyu 1,Sun Haifeng 1,Liu Hongmin 1,Chen Huanzhang 1,Hu Huanzhang 1,Hai Chaohe 1,He Zhijing 2 and Wu Dexin 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fully depleted CMOS/SOI technology nitrided thin gate oxide grown in H 2-O 2 ambient double-gate Ti-SALICIDE using Ge preamorphization |
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