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制造大面积超长钨发射体阵列W-UFEA的光电子学方法
引用本文:刘光诒,朱世棋,吕庆年,金能文,王德安,刘金声.制造大面积超长钨发射体阵列W-UFEA的光电子学方法[J].电子器件,1994(3).
作者姓名:刘光诒  朱世棋  吕庆年  金能文  王德安  刘金声
作者单位:中国科学院电子学所,北京无线电测量研究所
摘    要:本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控(或门控)超长金属杆状阵列场发射阴极UFEA(Ultra-LongFieldEmissionArray)的初步实验结果。

关 键 词:光电子学方法,阵列场发射体FEA,超长钨阵列场发射体W-UFEA

A Optoelectronic Method For Fabricating A Ultra Long Tungsten Field Emitter Array
Liu Guangyi,Zhu Shiqi,Lu Qingnian,Jin Nengwen,Wang dean.A Optoelectronic Method For Fabricating A Ultra Long Tungsten Field Emitter Array[J].Journal of Electron Devices,1994(3).
Authors:Liu Guangyi  Zhu Shiqi  Lu Qingnian  Jin Nengwen  Wang dean
Abstract:This paper briefly describes the experiment rexults about fabricating a large area ultra long ungated(or gated)tungsten needle field emitter array W-UFEA by the using of a optoelectronic fibre drawing method.
Keywords:Optoelectronic method  field emitter array FFA  tungsten ultra Iong field emitterarray W- UFEA  Research Sponsored by the Chinese NSFC  
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