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K波段幅相控制多功能MMIC的设计与实现
作者单位:
;1.中国电子科技集团公司第十三研究所
摘 要:
基于GaAs衬底增强/耗尽型赝(E/D)工艺设计了K波段幅相控制多功能MMIC。该芯片对接收增益波动大采取了2bit微调数控衰减器的改善措施,同时内部集成放大器,数控衰减器,数控移相器等常用功能。测试结果表明:接收支路增益≥3dB,输出1dB压缩点≥1dBm;发射支路增益≥5dB,输出1dB压缩点≥4dBm;移相RMS≤5°,衰减RMS≤0.6dB。
关 键 词:
增强/耗尽型pHEMT
幅相控制多功能
数控移相器
单刀双掷开关
数控衰减器
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