| Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较 |
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| 引用本文： | 毕大炜,张正选,张帅.Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较[J].功能材料与器件学报,2010,16(3). |
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| 作者姓名： | 毕大炜 张正选 张帅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 摘 要： | 本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。
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| 关 键 词： | 总剂量辐射效应 Pseudo-MOS晶体管 |
Comparison between Pseudo-MOS transistor and nMOS transistor in evaluating the resistant ability of SOI materials to total dose radiation |
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| BI Da-wei,ZHANG Zheng-xuan,ZHANG Shuai.Comparison between Pseudo-MOS transistor and nMOS transistor in evaluating the resistant ability of SOI materials to total dose radiation[J].Journal of Functional Materials and Devices,2010,16(3). |
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| Authors: | BI Da-wei ZHANG Zheng-xuan ZHANG Shuai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIMOX SOI |
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