| 反应溅射CN薄膜的场发射特性 |
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| 引用本文： | 林洪峰,谢二庆,张军,颜小琴,陈支勇.反应溅射CN薄膜的场发射特性[J].半导体学报,2006,27(13):211-213. |
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| 作者姓名： | 林洪峰 谢二庆 张军 颜小琴 陈支勇 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院，兰州 730000 |
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| 摘 要： | 利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜. 原子力显微镜（AFM）研究结果表明，CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物，所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性，最大发射电流密度达到～10mA/cm2，并且未出现电流饱和现象. 薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射，重复测量结果表明，CN薄膜的发射特性得到改善和提高.
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| 关 键 词： | 反应溅射 CN薄膜 场发射 |
Field Emission from Reaction Sputtering CN Films |
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| Lin Hongfeng,Xie Erqing,Zhang Jun,Yan Xiaoqin and Chen Zhiyong.Field Emission from Reaction Sputtering CN Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):211-213. |
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| Authors: | Lin Hongfeng Xie Erqing Zhang Jun Yan Xiaoqin and Chen Zhiyong |
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| Affiliation: | School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reaction sputtering CN films field emission |
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