| 热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究 |
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| 引用本文： | 柴展,张贵锋,王赛,侯晓多. 热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(1): 76-79 |
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| 作者姓名： | 柴展 张贵锋 王赛 侯晓多 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,材料科学与工程学院,大连,116024 |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在很近的热丝与衬底距离(5 mm)下沉积多晶硅薄膜,研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律。结果表明:当热丝温度在1400℃~1800℃变化,衬底温度225℃~320℃时,沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是(111)→(220)→(111);在低的灯丝温度(≈1450℃)和低的衬底温度(≈235℃)条件下,获得了晶粒横向尺寸大于1μm、垂直尺寸大于5μm的均匀致密的多晶硅薄膜。
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| 关 键 词： | 热丝化学气相沉积 多晶硅薄膜 择优取向 晶体形态 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）01-076-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-21 |
Growth Orientation of Poly-Si Film by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition |
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| Chai Zhan,Zhang Guifeng,Wang Sai,Hou Xiaoduo. Growth Orientation of Poly-Si Film by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(1): 76-79 |
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| Authors: | Chai Zhan Zhang Guifeng Wang Sai Hou Xiaoduo |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams, School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Hot-wire CVD Poly-Si Preferential orientation Crystal morphology |
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