| 大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷 |
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| 引用本文： | 赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠. 大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 133-136 |
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| 作者姓名： | 赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠 |
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| 作者单位： | 赵彦桥（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130）;刘彩池（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130）;郝秋艳（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130）;孙卫忠（河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且 |
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| 摘 要： | 利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
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| 关 键 词： | SI-GaAs 化学腐蚀法 位错 微缺陷 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0133-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-12 |
Dislocations and Microdefects in Large Diameter SI-GaAs |
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