| 稀磁掺杂MnxGe1-x量子点的制备及应用 |
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| 引用本文： | 李广洋,杨杰,邱锋,王荣飞,王茺,杨宇. 稀磁掺杂MnxGe1-x量子点的制备及应用[J]. 材料导报, 2018, 32(13): 2176-2182, 2194. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2018.13.006 |
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| 作者姓名： | 李广洋 杨杰 邱锋 王荣飞 王茺 杨宇 |
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| 作者单位： | 云南大学材料科学与工程学院,昆明,650091 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11564043;11274266)，云南省教育厅重点项目(2015Z017)，云南省科技计划面上项目(2016FB002)，云南省引进高层次人才项目，云南大学研究生科研创新基金 |
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| 摘 要： | 作为一种新兴的稀磁掺杂半导体材料,Mn_xGe_(1-x)量子点的自旋电子学性能在最近几年内取得了较为重大的突破。本文针对现有Mn_xGe_(1-x)量子点的稀磁掺杂制备方法及与制备方法相关联的磁电子学性能展开论述,并详细介绍了Mn_xGe_(1-x)量子点在生长过程中Mn原子与生长表面之间的相互作用、形貌转变以及迄今为止对基于这种纳米材料进行的自旋电子学应用的尝试。最后,展望了Mn_xGe_(1-x)量子点未来研究的重点和亟待解决的问题。
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| 关 键 词： | MnxGe1-x量子点 掺杂 铁磁性 居里温度 |
Preparation and Application of Dilute Magnetic Doping of Mnx Ge1-x Quantum Dots |
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| LI Guangyang,YANG Jie,QIU Feng,WANG Rongfei,WANG Chong and YANG Yu. Preparation and Application of Dilute Magnetic Doping of Mnx Ge1-x Quantum Dots[J]. Materials Review, 2018, 32(13): 2176-2182, 2194. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2018.13.006 |
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| Authors: | LI Guangyang YANG Jie QIU Feng WANG Rongfei WANG Chong YANG Yu |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering,Yunnan University,Kunming 650091,School of Materials Science and Engineering,Yunnan University,Kunming 650091,School of Materials Science and Engineering,Yunnan University,Kunming 650091,School of Materials Science and Engineering,Yunnan University,Kunming 650091,School of Materials Science and Engineering,Yunnan University,Kunming 650091 and School of Materials Science and Engineering,Yunnan University,Kunming 650091 |
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