| 热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响 |
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| 引用本文： | 刘国华,高宇晗,曹佳浩,李东升,杨德仁.热处理温度及掺硼对富硅氧化硅发光的影响[J].材料科学与工程学报,2018(4):519-522,614. |
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| 作者姓名： | 刘国华 高宇晗 曹佳浩 李东升 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 ,浙江杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然基金973资助项目(2013CB632102) |
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| 摘 要： | 利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处理温度的升高,富硅氧化硅薄膜的光致发光发生了明显红移。这表明薄膜的光致发光来源逐渐由薄膜中的发光中心演变为硅纳米晶。在经过1100℃热处理的未掺杂与掺硼样品中,掺硼样品光致发光强度有明显减弱,这是由俄歇复合效应引起的。此外,在ESR测试谱中,掺硼样品的g因子为2.0020,这表明掺硼可以在薄膜基体和硅纳米晶之间的界面引入发光中心。
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| 关 键 词： | 富硅氧化硅薄膜 热处理温度 掺硼 发光中心 硅纳米晶 |
Influence of Post-annealing Temperature and Boron-doping on Photoluminescence from Silicon Rich Silicon Oxide Films |
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| LIU Guohua,GAO Yuhan,CAO Jiahao,LI Dongsheng,YANG Deren.Influence of Post-annealing Temperature and Boron-doping on Photoluminescence from Silicon Rich Silicon Oxide Films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2018(4):519-522,614. |
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| Authors: | LIU Guohua GAO Yuhan CAO Jiahao LI Dongsheng YANG Deren |
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