| 一种去除化学机械抛光后残留有机物的新方法 |
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| 引用本文： | 武彩霞,刘玉岭,刘效岩,康海燕.一种去除化学机械抛光后残留有机物的新方法[J].电子设计工程,2010,18(1). |
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| 作者姓名： | 武彩霞 刘玉岭 刘效岩 康海燕 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 提出硅片化学机械抛光后表面残留的有机物污染,介绍金刚石膜电化学合成过氧化物的方法与原理.根据有机物易被氧化分解的特性,采用金刚石膜电化学法合成过氧化物,利用过氧化物的氧化性氧化分解硅片化学机械抛先后表面的有机物残留配合特选的表面活性剂,并加超声清洗,物理化学方法结合,从而达到去除有机物污染的目的.实验表明,利用金刚石膜电化学法合成的过氧化物配合特选的表面活性剂作为清洗试剂,加超声进行清洗,能够有效去除硅片化学机械抛光后表面的有机物残留,达到较好的清洗效果.
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| 关 键 词： | 电化学合成 表面活性刺 有机物 过氧化物 超声清洗 |
A new method of wiping off residue organic matter in Post-CMP cleaning |
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| WU Cai-xia,LIU Yu-ling,LIU Xiao-yan,KANG Hai-yan.A new method of wiping off residue organic matter in Post-CMP cleaning[J].Electronic Design Engineering,2010,18(1). |
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| Authors: | WU Cai-xia LIU Yu-ling LIU Xiao-yan KANG Hai-yan |
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