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| AlGaN/GaN HEMT器件可靠性测评技术 | |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | 据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心针对双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件异质结构的AlGaN表面电流 |
| 关 键 词： | 测评技术 日本北海道 异质结构 器件可靠性 双栅结构 表面状态 表面电流 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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