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| 三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存 | |
| 引用本文： | 章从福.三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存[J].半导体信息,2010(3). |
| 作者姓名： | 章从福 |
| 摘 要： | 据外电报道,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左 |
| 关 键 词： | 三星电子 制程 纳米 半导体 批量生产 层单元 闪存 |
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