| 氧化锌薄膜的p型掺杂研究现状 |
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| 引用本文： | 袁宁一 李金华 范丽宁 周懿. 氧化锌薄膜的p型掺杂研究现状[J]. 江苏工业学院学报, 2005, 17(4): 54-57 |
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| 作者姓名： | 袁宁一 李金华 范丽宁 周懿 |
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| 作者单位： | 江苏工业学院功能材料实验室,江苏常州213016 |
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| 摘 要： | ZnO薄膜作为一种多用途的光电材料，一直受到国内外学术界的广泛关注。为了开发ZnO短波长光电器件，首要解决的关键问题是氧化锌的P型掺杂。综述了目前国际上常用的氧化锌P型掺杂方法，对不同方法制备的P型ZnO薄膜的性能进行了分析比较。
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 P型掺杂 空穴载流子浓度 迁移率 |
| 文章编号： | 1005-8893(2005)04-0054-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-26 |
| 修稿时间： | 2005-04-26 |
Investigation of p-Type Doping in Zinc Oxide Thin Films |
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| YUAN Ning-yi, LI Jin-hua, FAN Li-ning, ZHOU Yi. Investigation of p-Type Doping in Zinc Oxide Thin Films[J]. Journal of Jiangsu Polytechnic University, 2005, 17(4): 54-57 |
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| Authors: | YUAN Ning-yi LI Jin-hua FAN Li-ning ZHOU Yi |
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| Affiliation: | Laboratory of Functional Materials, Jiangsu Polytechnic University, Changzhou 213016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO thin film p-type doping hole concentration mobility |
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