| 基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响 |
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| 引用本文： | 黄元盛 邱万奇 罗承萍. 基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响[J]. 中国表面工程, 2004, 17(4): 32-34 |
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| 作者姓名： | 黄元盛 邱万奇 罗承萍 |
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| 作者单位： | 1. 韶关学院,机电系,广东,韶关,512005
2. 华南理工大学,机械工程学院,广东,广州,510640 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(990548);韶关学院重点科研资助项目(314-140366);国家教委博士点基金资助项目(1999056121). |
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| 摘 要： | 使用热丝CVD装置在钢渗铬层、三氧化二铝、YG8硬质合盒基底上沉积了金刚石膜、结果表明，在700～900℃温度范围内，热稳定性好的基底材料有利于金刚石晶核的形成。硬质合金和三氧化二铝的热稳定性都比钢港铬层好，在700～900℃能获得10^7cm^-2以上的形核密度，而钢渗铬层超过800℃后．形核密度低于10^6cm^-2。
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 金刚石 形核密度 |
| 文章编号： | 1007-9289(2004)04-0032-03 |
| 修稿时间： | 2004-03-31 |
Effect of Substrate Materials and Temperature on CVD Diamond Deposition |
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| HUANG Yuan-sheng,QIU Wan-qi,LUO Cheng-ping. Effect of Substrate Materials and Temperature on CVD Diamond Deposition[J]. China Surface Engineering, 2004, 17(4): 32-34 |
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| Authors: | HUANG Yuan-sheng QIU Wan-qi LUO Cheng-ping |
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| Affiliation: | HUANG Yuan-sheng1,QIU Wan-qi2,LUO Cheng-ping2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical vapor deposition (CVD) diamond nucleation density |
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