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| 晶种诱导电化学沉积法制备AZO薄膜 | |
| 作者单位： | ;1.大连工业大学新材料与材料改性省高校重点实验室 |
| 摘 要： | 通过晶种诱导辅助电化学沉积法制备Al掺杂ZnO薄膜(AZO),利用XRD和SEM对薄膜的物相和形貌进行了表征,紫外-可见分光光度计和四探针式方阻仪分析了薄膜的光电性能,研究了不同Al掺杂浓度下AZO薄膜的晶体结构和光电性能。研究表明,一定含量的Al元素掺杂并不影响晶体的结构类型;制备的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构,且掺杂后薄膜的电阻呈数量级下降;当Al ~(3+)掺杂浓度为0.005mol/L时,AZO薄膜的结晶性最好,薄膜均匀致密,方块电阻为0.85kΩ,光透过率达85%,禁带宽度为3.37eV。 |
| 关 键 词： | 晶种诱导 电沉积 掺杂 AZO薄膜 |
Preparation of AZO thin films by seed-induced electrochemical deposition method |
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