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| FTO上溅射ITO薄膜及光电性能 | |
| 作者单位： | ;1.大连工业大学新能源材料研究所 |
| 摘 要： | 通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响。采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。结果表明,随着溅射时间的增加以及衬底温度的升高,以FTO导电薄膜为基底制备的氧化铟锡(ITO)透明导电膜的电阻逐渐减小,而后基本保持不变。在基片温度为400℃、溅射时间为45min时,方块电阻最小值达到1.5Ω。 |
| 关 键 词： | 脉冲磁控溅射 透明导电薄膜 氧化铟锡薄膜 |
Preparation of ITO thin film deposited on FTO substrate and its photoelectric properties |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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