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| 超纯水与大规模集成电路 | |
| 引用本文： | 闻瑞梅.超纯水与大规模集成电路[J].水处理技术,1981(2). |
| 作者姓名： | 闻瑞梅 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 进入70年代以来,大规模集成电路飞速发展,特别是N沟MOS电路发展更快。国外1972年研制出N沟MOS4千位动态随机存贮器(4KRAM),相当于一万多个元件;1976年研制出16KRAM,相当于三万七千个元件;1978年又发展到64KRAM,约13—14万个元件;1980年美国、日本已研制出256KRAM样管,大约50万个元件。目前,我国已研制出16KRAM。随着大规模和超大规模集成电路的发展,集成度越来越高,线条越来越细,其成品率随集成度的增加成指数关系下降,因 |
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