| Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化 |
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| 引用本文： | 田豫,黄如.Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化[J].半导体学报,2005,26(1):120-125. |
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| 作者姓名： | 田豫 黄如 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．
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| 关 键 词： | 交流特性 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0120-06 |
| 修稿时间： | 2003年11月27日 |
AC Performance Analysis and Structure Optimization of Ultra-Thin Body SOI MOSFET's |
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| Tian Yu and Huang Ru.AC Performance Analysis and Structure Optimization of Ultra-Thin Body SOI MOSFET''''s[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):120-125. |
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| Authors: | Tian Yu and Huang Ru |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UTB MOSFET |
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