| α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究 |
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| 引用本文： | 吴华武,徐功骅,尉京志,来月英,张克宏.α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究[J].复合材料学报,1996(2). |
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| 作者姓名： | 吴华武 徐功骅 尉京志 来月英 张克宏 |
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| 作者单位： | 清华大学化学系 |
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| 摘 要： | 本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００～１４５０℃，恒温１～４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯Ｎ２气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３２％～３４％，氧含量为８％～６％，氯含量为０．１％左右。这类晶须中存在着大量的缺陷。当晶须在ＮＨ３气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３９％左右，氧含量为１％，氯含量为０．０１％，在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷。
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| 关 键 词： | 晶须，α－Si_3N_4，缺陷与气氛 |
RELATIONSHIP BETWEEN THE DEFECTS OF ALPHA-SILICON NITRIDE WHISKERS AND GROWTH ATMOSPHERE |
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| Wu Huawu,Xu Gonghua, Wei Jingzhi,Lai Yueying,zhang Kehong.RELATIONSHIP BETWEEN THE DEFECTS OF ALPHA-SILICON NITRIDE WHISKERS AND GROWTH ATMOSPHERE[J].Acta Materiae Compositae Sinica,1996(2). |
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| Authors: | Wu Huawu Xu Gonghua Wei Jingzhi Lai Yueying zhang Kehong |
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| Keywords: | whisker alpha-silicon nitride defect and atmosphere |
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