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| 稀土金属Tb催化制备GaN纳米棒(英文) | |
| 引用本文： | 陈金华,师平,郭纪源,薛成山.稀土金属Tb催化制备GaN纳米棒(英文)[J].稀有金属材料与工程,2012(11). |
| 作者姓名： | 陈金华 师平 郭纪源 薛成山 |
| 作者单位： | 镇江高等职业技术学校;江苏科技大学;山东师范大学; |
| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China(90201025,90301002) |
| 摘 要： | 利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜制备出GaN纳米棒。X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品进行测试,结果显示样品为单晶结构的纳米棒,直径为80～200nm,长度达几十微米。最后简单地讨论了GaN纳米棒的生长机制。 |
| 关 键 词： | 稀土 纳米棒 单晶 |
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