基于0.6μm CMOST艺的单片集成有源电感设计 |
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作者姓名: | 吉小冬 孙玲 包志华 |
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作者单位: | [1]东南大学集成电路学院 [2]南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 |
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基金项目: | 江苏省高技术项目(BG2005022);南通大学自然科学基金资助项目(052114) |
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摘 要: | 采用0.6μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计,其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成,电感值可受直流偏置控制,占用面积小。仿真结果表明,该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-IGHz,600MHz频率处电感的Q值达到26,等效电感值为400nH。
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关 键 词: | 有源电感 单片集成 CMOS工艺 场效应晶体管 频率范围 电路原理图 直流偏置 仿真结果 |
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