相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜 |
| |
引用本文: | 张龙 朱健 林立强 卓敏. 相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜[J]. 固体电子学研究与进展, 2005, 25(1): 64-64 |
| |
作者姓名: | 张龙 朱健 林立强 卓敏 |
| |
作者单位: | 南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 南京,210016,南京,210016,南京,210016,南京,210016 |
| |
摘 要: | 南京电子器件研究所采用 RF磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于 1 0 0的 BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径 BST溅射靶材 ,用这种靶材制作 Pt/BST/Pt薄膜电容 ,在 Si/Si O2 衬底上溅射 BST,其膜厚典型值 2 80 nm。该技术采用了在 RF磁控溅射 BST时
|
关 键 词: | 南京电子器件研究所 相对介电常数 BST薄膜 磁控溅射 |
BST Films with Dielectric Constant Exceeded100 |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|