| 2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端 |
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| 引用本文： | 焦世龙,叶玉堂,陈堂胜,杨先明,李拂晓,邵凯,吴云峰.2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端[J].光电子．激光,2008,19(2):191-195. |
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| 作者姓名： | 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 杨先明 李拂晓 邵凯 吴云峰 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用0.5 μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850 nm光接收机前端. 探测器光敏面直径为30 μm,电容为0.25 pF,10 V反向偏压下的暗电流小于20 nA.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.50 dB之间.单片集成光接收机前端在1.0和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.
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| 关 键 词： | PIN光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 |
| 文章编号： | 1005-0086（2008）02-0191-05 |
| 收稿时间： | 2007-01-25 |
| 修稿时间： | 2007-07-01 |
2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT monolithic integrated optical receiver front end |
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| JIAO Shi-long,YE Yu-tang,CHEN Tang-sheng,YANG Xian-ming,LI Fu-xiao,SHAO Kai,WU Yun-feng.2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT monolithic integrated optical receiver front end[J].Journal of Optoelectronics·laser,2008,19(2):191-195. |
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| Authors: | JIAO Shi-long YE Yu-tang CHEN Tang-sheng YANG Xian-ming LI Fu-xiao SHAO Kai WU Yun-feng |
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| Affiliation: | JIAO Shi-long1,2,YE Yu-tang1,CHEN Tang-sheng2,YANG Xian-ming1,LI Fu-xiao3,SHAO Kai3,WU Yun-feng1(1.School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science , Technology of China,Chengdu 610054,China,2.National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits , Modules,Nanjing 210016,3.Nanjing Electronic Devices Institute,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PIN photodetector distributed amplifier optical receiver eye diagram |
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