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心电图机专用IC-CMOS低噪声前置放大器的设计
引用本文:李联,姜黎. 心电图机专用IC-CMOS低噪声前置放大器的设计[J]. 电子学报, 1994, 0(11)
作者姓名:李联  姜黎
作者单位:复旦大学国家专用集成电路和系统重点实验室
摘    要:CMOS低噪声、低漂移、低失调运放是为"心电图机专用集成电路"而设计的,要求具有高输入阻抗、高CMRR、低漂移、低失调、尤其是低的1/f噪声。CMOS器件与双极型器件和JFET器件相比,通常有较大的1/f噪声电压。由于采用特殊的设计技术,使我们研制的CMOS运放具有较低的1/f噪声,且功耗较低。经研制及投片,实例得0.05Hz~250Hz等效输入噪声电压峰峰值小于2.5μV,±2.5V到±10V电源电压下输入失调小于1mV,共模抑制比110dB以上,完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合,在±2.5V工作时亦可作为微功耗运放使用。

关 键 词:CMOS,低噪声,运放

CMOS Low Noise Amplifier Design
Li Lian,Jiang Li. CMOS Low Noise Amplifier Design[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, 0(11)
Authors:Li Lian  Jiang Li
Affiliation:State Key ASIC and System Lab at Fudan University. Shanghai 200437
Abstract:
Keywords:CMOS  Low noise  Amplifier  
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