| CIS/CIGS薄膜的制备技术与其生长机理研究 |
| |
| 引用本文： | 张加友,孙云,李风岩,刘惟一,周志强,李长健,孙钟林.CIS/CIGS薄膜的制备技术与其生长机理研究[J].太阳能学报,2003(Z1):73-76. |
| |
| 作者姓名： | 张加友 孙云 李风岩 刘惟一 周志强 李长健 孙钟林 |
| |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子所,天津,300071;运输工程学院,天津,300161
2. 南开大学光电子所,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA513021) |
| |
| 摘 要： | 多晶CuInSe2或称Cu(In,Ga)Se2(简称GIS或CIGS)材料在薄膜太阳电池中具有重要的应用.GIS/CIGS的制备方法很多,制备方法不同,CIS的形成机理也不相同,本文对几种典型的制备方法的形成机理做了简要的讨论,并应用XRD、DSC手段,对于金属预制层后硒化法的薄膜的形成机理进行了研究.实验结果显示,溅射法制备的预制层有5种相同时存在,衬底温度升高到220℃,Se熔化后,薄膜中化学反应剧烈,有三元相产生;至350℃,三元相转化成了黄铜矿CuInSe2.
|
| 关 键 词： | 后硒化 CIS 结构 铜铟硒薄膜 |
| 文章编号： | 0254-0096(2003)增刊-0073-04 |
| 修稿时间： | 2002年8月20日 |
REACTION MECHANISM AND FABRICATION TECHNOLOGY OF CIS/CIGS THIN FILMS |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CIS |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
