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| 热处理V膜制备VO_(2)薄膜的结构和光电性能EI北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 袁文辉 刘保顺 |
| 作者单位： | 1.武汉高芯科技有限公司430205;2.硅酸盐建筑材料国家重点实验室430070; |
| 基金项目： | 国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项(2017YFE0192600)；国家自然科学基金面上项目(51772230)。 |
| 摘 要： | 先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO_(2)薄膜。研究了退火温度对VO_(2)薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO_(2)薄膜的结晶度明显增加。退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰。不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致。虽然退火温度的改变对VO_(2)薄膜的可见光透过率无明显影响,但是可以改善对太阳光的调节效率。VO_(2)薄膜半导体-金属相变温度和半导体相的电阻随热处理温度增加而增加,在400℃和450℃退火样品电阻相变前后的变化幅度可达2个数量级,450℃退火制备样品的滞后宽度和半导体金属相变临界温度分别为14.6℃和61.0℃。 |
| 关 键 词： | 二氧化钒薄膜 磁控溅射 真空退火 半导体–金属相变 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |