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| 氧本征吸除工艺的实验研究 | |
| 作者姓名： | 宗祥福 顾孝义 戚盛勇 神承复 罗林基 黄慧玲 俞桂贞 袁小莺 秦涛 杨灏 陈智生 |
| 作者单位： | 复旦大学(宗祥福，顾孝义，戚盛勇，神承复)，上海元件五厂(罗林基，黄慧玲，俞桂贞，袁小莺，秦涛)，上海第二冶炼厂(杨灏)，上海无线电十七厂(陈智生) |
| 摘 要： | 通过红外吸收测量、带电粒子活化分析及腐蚀后的金相观察,证实了经三步热处理退火后的CZ硅片,表面层氧外扩散而形成“清洁区”,体内氧沉淀形成高密度的缺陷区。采用中子活化、C-T测量、p-n结试验等技术,证实了氧本征吸除的吸杂效果。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |