首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4
引用本文:张国昀,姜长印,万春荣,应皆荣. 控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4[J]. 电源技术, 2003, 27(1): 17-19,23
作者姓名:张国昀  姜长印  万春荣  应皆荣
作者单位:清华大学,核能技术设计研究院,新型能源与材料化学研究室,北京,102201
基金项目:国家自然科学基金项目(50002006),清华大学基础研究重点资助项目(JC1999054)
摘    要:为了解决尖晶石LiMn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4。采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH·H2O混合,在750℃下反应20h,合成表面富含钴的LiMn2-xCoxO4。X射线衍射分析表明,合成的LiMn2-xCoxO4为尖晶石结构,没有杂相。扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石LiMn2-xCoxO4为类球形,而且表面富含钴。这种表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4在高温下仍然具有良好的电化学性能,在55℃下其首次放电比容量为101mAh·g-1,15次充放电循环之后,仍保持初始放电容量的99%。而尖晶石LiMn2O4在15次循环后,仅能保持初始放电容量的82%。

关 键 词:锂离子蓄电池  表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4  控制结晶  Mn3O4  βCo(OH)2
文章编号:1002-087X(2003)01-0017-03
修稿时间:2002-05-07

Synthesis of spinel LiMn2-xCoxO4 with high cobalt content at surface by controlled crystallization
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号