控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4 |
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引用本文: | 张国昀,姜长印,万春荣,应皆荣. 控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4[J]. 电源技术, 2003, 27(1): 17-19,23 |
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作者姓名: | 张国昀 姜长印 万春荣 应皆荣 |
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作者单位: | 清华大学,核能技术设计研究院,新型能源与材料化学研究室,北京,102201 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(50002006),清华大学基础研究重点资助项目(JC1999054) |
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摘 要: | 为了解决尖晶石LiMn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4。采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH·H2O混合,在750℃下反应20h,合成表面富含钴的LiMn2-xCoxO4。X射线衍射分析表明,合成的LiMn2-xCoxO4为尖晶石结构,没有杂相。扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石LiMn2-xCoxO4为类球形,而且表面富含钴。这种表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4在高温下仍然具有良好的电化学性能,在55℃下其首次放电比容量为101mAh·g-1,15次充放电循环之后,仍保持初始放电容量的99%。而尖晶石LiMn2O4在15次循环后,仅能保持初始放电容量的82%。
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关 键 词: | 锂离子蓄电池 表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4 控制结晶 Mn3O4 βCo(OH)2 |
文章编号: | 1002-087X(2003)01-0017-03 |
修稿时间: | 2002-05-07 |
Synthesis of spinel LiMn2-xCoxO4 with high cobalt content at surface by controlled crystallization |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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