| 薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应 |
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| 引用本文： | 李斌,黎沛涛,刘百勇,郑学仁. 薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应[J]. 半导体学报, 2003, 24(5): 461-465 |
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| 作者姓名： | 李斌 黎沛涛 刘百勇 郑学仁 |
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| 作者单位： | [1]华南理工大学应用物理系，广州510641 [2]香港大学电机电子工程系，香港 |
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| 基金项目： | 香港大学校科研和教改项目;HKU7045/98E; |
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| 摘 要： | 在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0 .1m A的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到5 5 0℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应,大大提高了本征转折温度,从而提高器件的最高工作温度.同时,由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择.
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| 关 键 词： | 少数载流子排斥效应 高温传感器 扩展电阻 SOI |
Minority-Carrier Exclusion Effect in Thin-Film SOI Temperature Sensor |
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| Li Bin,Lai Peitao,Liu Baiyong,Zheng Xueren. Minority-Carrier Exclusion Effect in Thin-Film SOI Temperature Sensor[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(5): 461-465 |
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| Authors: | Li Bin Lai Peitao Liu Baiyong Zheng Xueren |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | minority-carrier exclusion effect high temperature sensors spreading resistance SOI |
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