| 微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究 |
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| 引用本文： | 周俊,王晓红,董良,刘理天. 微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究[J]. 微细加工技术, 2002, 0(2): 48-52 |
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| 作者姓名： | 周俊 王晓红 董良 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家基础研究基金 973资助项目 (G19990 3310 8)，清华大学“985”基础研究基金资助项目(19992 5 0 0 1) |
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| 摘 要： | 利用多孔硅形成的选择性。在指定的硅衬底区域制作多孔硅作牺牲层，提出了制作微结构，后进行阳极氧化，形成多孔硅牺牲层的工艺，由此制备出了良好的悬空结构，并对多孔硅形成的选择性、掩模材料和工艺条件进行了研究。
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| 关 键 词： | 微结构 选择性 MEMS 注入 多孔硅 牺牲层 |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)02-0048-05 |
| 修稿时间： | 2001-12-07 |
Study on Selective Formation of Porous Silicon as a Sacrificial Layer in Microsaucture |
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| ZHOU Jun,WANG Xiao-hong,DONG Liang,LIU Li-tian. Study on Selective Formation of Porous Silicon as a Sacrificial Layer in Microsaucture[J]. Microfabrication Technology, 2002, 0(2): 48-52 |
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| Authors: | ZHOU Jun WANG Xiao-hong DONG Liang LIU Li-tian |
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| Abstract: | The porous silicon as a sacrificial layer could be fabricated in locally defined areas on the Si substrate,using the selective formation of porous silicon.Presented a technique of fabricating the microstructure first and then performing anode oxidation to form a sacrificial layer of porous silicon.The well freestanding microstructure has been made by this technique.The fabrication conditions and selectivity of formation of the porous silicon and masking layer are studied in detail. |
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| Keywords: | s:MEMS implantation porous silicon sacrificial layer |
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