| GaN纳米棒的制备及机理研究 |
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| 引用本文： | 王敬蕊,叶志镇,杨志祥,马全宝,姜静,胡少华,何海平.GaN纳米棒的制备及机理研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(1). |
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| 作者姓名： | 王敬蕊 叶志镇 杨志祥 马全宝 姜静 胡少华 何海平 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(纳米) |
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| 摘 要： | 本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒.测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构.通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果.在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒.因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构.
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| 关 键 词： | Ni催化 GaN纳米棒 生长机制 |
Growth Mechanisms of GaN Nanorods |
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| Wang Jingrui,Ye Zhizhen,Yang Zhixiang,Ma Quanbao,Jiangjing,Hu Shaohua,He Haiping.Growth Mechanisms of GaN Nanorods[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2009,29(1). |
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| Authors: | Wang Jingrui Ye Zhizhen Yang Zhixiang Ma Quanbao Jiangjing Hu Shaohua He Haiping |
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