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高功率980 nm垂直外腔面发射 激光器(VECSEL)的理论研究
引用本文:何春凤,路国光,单肖楠,秦莉,晏长岭,宁永强,李特,孙艳芳,王立军.高功率980 nm垂直外腔面发射 激光器(VECSEL)的理论研究[J].光学精密工程,2005,13(3):247-252.
作者姓名:何春凤  路国光  单肖楠  秦莉  晏长岭  宁永强  李特  孙艳芳  王立军
作者单位:1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;长春理工大学,高功率半导体激光重点实验室,吉林,长春,130022
基金项目:吉林省科技厅项目(No.20040519)
摘    要:利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980 nm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数,优化了激光器特征参数并设计了OPS-VECSEL结构。理论计算表明,LD泵浦的垂直外腔面发射激光器的输出功率可大于1.0 W。

关 键 词:垂直外腔面发射激光器  LD泵浦  纵模限制因子  光增益
文章编号:1004-924X(2005)03-0247-06
收稿时间:2005-03-10
修稿时间:2005年3月10日

Theoretical analysis of 980 nm high power vertical external cavity surface emitting semiconductor laser (VECSEL)
HE Chun-feng,LU Guo-guang,SHAN Xiao-nan,QIN Li,YAN Chang-ling,NING Yong-Qiang,LI Te,Sun Yan-fang,WANG Li-jun.Theoretical analysis of 980 nm high power vertical external cavity surface emitting semiconductor laser (VECSEL)[J].Optics and Precision Engineering,2005,13(3):247-252.
Authors:HE Chun-feng  LU Guo-guang  SHAN Xiao-nan  QIN Li  YAN Chang-ling  NING Yong-Qiang  LI Te  Sun Yan-fang  WANG Li-jun
Affiliation:1. Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130033,China;
2. State Key Lab of High Power Semiconductor Laser,Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,China
Abstract:By using period resonance gain structure, a laser diode (LD) pumped 980 nm vertical external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) with active region of InGaAs/GaAsP/AlGaAs system was developed. The longitudinal confinement factor, threshold gain, optical gain and output power were calculated. The characteristic parameters of VECSEL were optimized, and the structure of VECSEL was designed. The results show that the output power of a LD-pumped VECSEL can be larger than (1.0 W) based on the theoretical calculations.
Keywords:vertical external-cavity surface emitting laser  diode laser pumping  longitudinal confinement factor  optical gain
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