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| 我量子点激光器研究获突破 | |
| 摘 要： | 我国科学家在Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ自组织量子点激光器研究中获得突破。目前已经获得室温下ＰＬ峰值在１．３μｍ的量子点材料，朝１．３μｍ激光器迈出了一大步。Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ量子点体系因其独特、优越的光电性质，成为替代目前ＩｎＰ基材料、制备光纤通讯用１、３μｍ长波激光器的热门材料之一，迄今已有美国德克萨斯大学、日本ＮＥＣ实验室、日本富士通实验室，及德国ＰＤＩ研究所和俄罗斯约飞研究所联合小组等几个研究小组成功制备了室温激射波长在１．３μｍ的量子点激光器。中国科学院半导体所是国内率先开展自组织量子点激… |
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