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杂志ISSN号
砷化镓液相外和廷片均匀性的研究
作者姓名:
王林海 袁炳辉
摘 要:
介绍了在GaAs液相外廷过程中,通过改变源溶液的配比及处理方法、外廷生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件,制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的GaAs外廷片,并确定了比较好的生长工艺条件。这对生长高质量的GaAs外廷片制做参数一致性好,可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义。
关 键 词:
液相外廷 均匀性 生长温度
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