|
|||||
|
|
| 用快速热化学汽相淀积法生长Si_(1-x)Ge_x及其在异质结双极晶体管中的应用 | |
| 摘 要： | 快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周期的超晶格结构以及接近理想电特性的异质结双极晶体管中。 |
Growth of Si_(1-x)Ge_x by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition and Application to Heterojunction Bipolar Transistors |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |