表面接枝法合成Si掺杂介孔SO4^2-/TiO2 |
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引用本文: | 陈垚翰,李国亮,张昭.表面接枝法合成Si掺杂介孔SO4^2-/TiO2[J].化学反应工程与工艺,2008,24(6). |
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作者姓名: | 陈垚翰 李国亮 张昭 |
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作者单位: | 四川大学化工学院,四川成都610065 |
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摘 要: | 以工业硫酸钛液水解得到的介孔偏钦酸为载休,正硅酸乙酯(TEOS)为浸渍剂,采用表面接枝法制备了Si掺杂的介孔SO4^2-/TiO2。通过X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附、射线光电子能谱(XPS)和傅立叶-红外光谱(FT—IR)对焙烧产物进行表征,考察了超声波和微波外场对浸渍过程的影响以及Si提高介孔TiO2热稳定性的机制。结果表明,掺杂Si形成的Ti—O—Si键对介孔TiO2的孔结构起到支持作用,阻止晶粒长大和提高锐钛矿向金红石矿的相变温度,使SO4^2-稳定的介孔TiO2的热稳定性提高,在700℃焙烧后仍保持138m^2/g的比表面积;超声波和微波场强化了浸渍过程,大大缩短了浸渍时间,促进Si在内外表面的分布。
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关 键 词: | 介孔二氧化钛 硅掺杂 浸渍 外场作用 热稳定性 |
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