| 磁控反应溅射制备的SnO2多晶薄膜及其特性 |
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| 引用本文： | 姚菲菲,冯良桓,陈卫东,雷智,张静全,李卫,武莉莉,蔡伟,蔡亚平,郑家贵,黎兵. 磁控反应溅射制备的SnO2多晶薄膜及其特性[J]. 半导体光电, 2007, 28(3): 367-369,374 |
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| 作者姓名： | 姚菲菲 冯良桓 陈卫东 雷智 张静全 李卫 武莉莉 蔡伟 蔡亚平 郑家贵 黎兵 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用反应磁控溅射制备了高阻SnO2薄膜.利用X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、暗电导温度关系等方法研究了退火对薄膜的结构、光学和电学性质的影响.发现在510℃退火1h后,SnO2薄膜从非晶态转变为四方相结构的多晶薄膜,光能隙在3.79 eV和3.92 eV之间,电阻率为8.5Ω·cm,电导激活能约为0.322 eV.研究结果表明,此方法制备的SnO2高阻膜适合作为过渡层应用于CdTe太阳电池中.
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| 关 键 词： | SnO2 透明高阻膜 磁控反应溅射 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）03-0367-03 |
| 修稿时间： | 2006-08-26 |
Properties of SnO2 Polycrystalline Thin Films Prepared by Magnetic Reactive Sputtering |
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| YAO Fei-fei,FENG Liang-huan,CHEN Wei-dong,LEI Zhi,ZHANG Jing-quan,LI Wei,WU Li-li,CAI Wei,CAI Ya-ping,ZHENG Jia-gui,LI Bing. Properties of SnO2 Polycrystalline Thin Films Prepared by Magnetic Reactive Sputtering[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2007, 28(3): 367-369,374 |
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| Authors: | YAO Fei-fei FENG Liang-huan CHEN Wei-dong LEI Zhi ZHANG Jing-quan LI Wei WU Li-li CAI Wei CAI Ya-ping ZHENG Jia-gui LI Bing |
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| Affiliation: | Department of Materials Science, Siehuan University, Chengdu 610064, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnO2 transparent high resistant film magnetic reactive sputtering |
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