|
|||||
|
|
| One-Step Preparation of β-Ga2O3 Nanomaterial and Research the Electrical Transport Properties at High Temperature | |
| 作者姓名： | 马海林 李 艳 |
| 作者单位： | 兰州交通大学 国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心，甘肃 兰州 730070 |
| 摘 要： | 用热蒸发化学气相沉积法成功制备了β-Ga2O3纳米材料, 并研究了该纳米材料在高温下的电学特性。Ｘ射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜及透射电镜测试表明，纳米带的宽度小于100 nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80~150 nm。电学特性的测试表明：当温度低于800 ℃时, 纳米带电导率几乎不变，当温度高于800 ℃以上时，电导率和温度呈指数关系 |
| 关 键 词： | 镓；纳米材料；电导率 |
| 收稿时间： | 2012-11-15 |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》下载全文 | |