|
|||||
|
|
| WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作 | |
| 引用本文： | 陈定钦. WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作[J]. 半导体光电, 1996, 17(1): 47-49 |
| 作者姓名： | 陈定钦 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用国产ＭＢＥ调，制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物栅的耗尽型高电子迁移率晶体器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２－１．５μｍ和２×１６０μｍ。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 WSi栅 制造工艺 |
Depletion mode HEMT with WSi gate |
|
| CHEN Dingqin. Depletion mode HEMT with WSi gate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1996, 17(1): 47-49 | |
| Authors: | CHEN Dingqin |
| Abstract: | |
| Keywords: | Semiconductor Devices HEMT WSI Gate Transconductance Reaction Ion Etching |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |