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IC缺陷轮廓的分形插值模型
引用本文:姜晓鸿, 赵天绪, 郝跃, 徐国华. IC缺陷轮廓的分形插值模型[J]. 电子与信息学报, 2000, 22(4): 659-666.
作者姓名:姜晓鸿  赵天绪  郝跃  徐国华
作者单位:西安电子科技大学微电子所,西安,710071
基金项目:863高科技项目,国家部级项目资助
摘    要:现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分形插值的思想直接对真实缺陷的轮廓进行模拟,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型。实验结果表明:与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有了很大的提高。

关 键 词:IC缺陷  分形插值  IC故障  IC成品率  等效圆形缺陷
收稿时间:1997-11-18
修稿时间:1997-11-18

FRACTAL INTERPOLATION MODEL OF IC DEFECT OUTLINES
Jiang Xiaohong, Zhao Tianxu, Hao Yue, Xu Guohua . FRACTAL INTERPOLATION MODEL OF IC DEFECT OUTLINES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2000, 22(4): 659-666.
Authors:Jiang Xiaohong  Zhao Tianxu  Hao Yue  Xu Guohua
Abstract:Available defect outline model used for yield prediction and inductive fault analysis of integrated circuits (IC) all model a real defect by replacing its real rugged outlines with circular discs or squares, then great errors were aroused in these models. Based on the idea of fractal interpolation, this paper presents a new model to characterize those real defect outlines. The comparison of the new model with those models available indicates that the new model is a more accurate defect outline model.
Keywords:IC defect   Fractal interpolation   IC fault   IC yield   Equivalent circular defect
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