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应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺
引用本文:周春兰,刘维,王文静,李海玲,赵雷,刁宏伟.应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺[J].太阳能学报,2010,31(5).
作者姓名:周春兰  刘维  王文静  李海玲  赵雷  刁宏伟
作者单位:中国科学院电工研究所,北京,100190
基金项目:国家重点基础研究发展(863)计划 
摘    要:研究了在P型单晶硅上扩散的N区发射极上选择性化学镀镍工艺,获得了较为优化的化学镀工艺过程,得到了均匀致密的镀层。其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸浸泡和HF处理以及氯化钯的活化方法,使得镀层质量得以提高。进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究,结果发现在N_2气氛下330℃的热处理将会促进具有最低方块电阻的Ni-Si合金的形成。在方块电阻为45Ω/□的发射极上,化学镀后得到了方块电阻为2Ω/□的Ni-Si合金层。

关 键 词:单晶硅  电接触  化学镀  

ELECTROLESS NICKEL PLATING ON SINGLE-CRYSTAL SILICON FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS
Zhou Chunlan,Liu Wei,Wang Wenjing,Li Hailing,Zhao Lei,Diao Hongwei.ELECTROLESS NICKEL PLATING ON SINGLE-CRYSTAL SILICON FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2010,31(5).
Authors:Zhou Chunlan  Liu Wei  Wang Wenjing  Li Hailing  Zhao Lei  Diao Hongwei
Abstract:
Keywords:
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